IT House 1 月 3 日报道 韩国媒体《Chosun Biz》今日（当地时间）报道称，三星电子 DS 部门内存（IT House 注：内存）业务部门最近完成了 HBM4 内存逻辑芯片的设计； Foundry事业部目前已基于该设计采用4nm工艺开始试产。
在完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的HBM4存储器的样品。
▲ 三星电子的 HBM 内存
逻辑芯片也称为基本芯片和接口芯片。它在整个 HBM 内存堆栈中扮演“大脑”的角色，负责控制其上方的多层 DRAM 芯片。在HBM4代中，由于内存堆栈中I/O引脚数量加倍以及需要集成更多功能等一系列因素，三大内存制造商均采用逻辑半导体OEM来制造逻辑芯片。
业内人士表示，运行时产生的热量是HBM内存的最大敌人，而逻辑芯片是整个堆栈中的主要发热源。采用先进工艺制造逻辑芯片有助于提高HBM4的能效和性能。
三星电子正试图在 HBM4 上采取相对激进的技术路线，以夺回 HBM3(E) 一代因质量原因而失去的 HBM 内存市场份额：除了使用自家的 4nm 工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4纳米工艺DRAM Die上引入1c，并有望在16Hi堆栈中引入无凸点混合键合技术。
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